三星已在開發(fā)DDR6內(nèi)存 標準頻率能到12800Mbps
- 來源:超能網(wǎng)
- 作者:Strike
- 編輯:豆角
目前DDR5才隨Intel的12代酷睿Alder Lake剛上市沒多久,但三星已經(jīng)在表示他們已經(jīng)在開發(fā)下一代的DDR6內(nèi)存了,在一年一代的技術(shù)日活動上,三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代內(nèi)存技術(shù)的信息。
Computerbase已經(jīng)從三星那里獲得了新一代內(nèi)存的各種信息,目前DDR5還處于生命周期的初期,頻率普遍不是很高,不過隨著時間的推移頻率是會慢慢上去的,三星認為在不久的將來DDR5的頻率就會提升到JEDEC標準的6400Mbps,而超頻條的頻率可達到8400Mbps,其實現(xiàn)在就已經(jīng)有廠商把DDR5內(nèi)存的頻率提升到7000Mbps了。
而下一代的DDR6已經(jīng)在早期開發(fā)階段,未來用于取代DDR5,當然預(yù)計至少在2025到2026年后才會推出,DDR4內(nèi)存至少用了6年,而DDR5到DDR6估計也會差不多的時間。
三星認為未來的DDR6內(nèi)存的JEDEC標準會達到12800Mbps,而超頻條的頻率可能會到17000Mbps,甚至可能會突破20000Mbps,目前DDR6的標準各家目前還在一同討論中,預(yù)計在2024年完成。每個模組DDR6內(nèi)存的通道數(shù)和現(xiàn)在的DDR5相比再次翻倍,變成16bit*4,bank數(shù)量增加到最多64個。
顯存方面,三星透露了速度更快的GDDR6+計劃,用于取代現(xiàn)有的GDDR6,三星計劃在本月采用1znm開始試產(chǎn)GDDR6+,它的頻率能到24Gbps,并會成為下一代GPU的配置,如果真能達到此頻率的話擁有320/352/384bit顯存位寬的顯卡顯存帶寬就能超過1TB/s,而256bit的GPU的帶寬也能到768GB/s。
至于新一代的GDDR7顯存,預(yù)計可提供高達32Gbps的傳輸速度,并且會支持實時錯誤保護技術(shù),但三星并沒有對其進行詳細說明。而HBM3內(nèi)存,三星計劃會在2022年第二季度開始投產(chǎn),并表示速度會是800GB/s,將會用在未來的HPC和數(shù)據(jù)中心GPU/CPU系統(tǒng)中。

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