中芯國(guó)際上海建12英寸晶圓廠：大陸第一次FinFET、直奔7nm

近日，上海市公布了2021年重大建設(shè)項(xiàng)目清單，中芯國(guó)際的12英寸芯片SN1項(xiàng)目入選，目前處于在建狀態(tài)。

中芯國(guó)際的12英寸芯片SN1項(xiàng)目由中芯國(guó)際旗下的中芯南方負(fù)責(zé)，總投資額90.59億美元，其中生產(chǎn)設(shè)備購(gòu)置和安裝費(fèi)就有73.30億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片晶圓。

這是中國(guó)內(nèi)地第一條FinFET工藝生產(chǎn)線，也是中芯國(guó)際14nm及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量產(chǎn)的主要承載平臺(tái)，未來(lái)覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)可直達(dá)7nm。

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松此前曾披露，中芯國(guó)際的28nm、14nm、12nm、N+1等技術(shù)均已進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，7nm技術(shù)開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成，今年4月可以進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，5nm、3nm最關(guān)鍵也是最艱巨的8大項(xiàng)技術(shù)也已經(jīng)有序展開(kāi)，只等EUV極紫外光刻機(jī)到來(lái)，就可以進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)階段。

去年7月，中芯國(guó)際正式登陸科創(chuàng)板，發(fā)行總股本為71.3642億股，上市募集資金中40％用于12英寸芯片SN1項(xiàng)目，20％作為先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金，40％作為補(bǔ)充流動(dòng)資金。

中芯國(guó)際12英寸芯片SN1、SN2廠房建設(shè)項(xiàng)目位于上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)，目前的主要建設(shè)內(nèi)容包括SN1生產(chǎn)廠房、CU8動(dòng)力車(chē)間、SO8生產(chǎn)調(diào)度及研發(fā)樓三個(gè)大的單體建筑物，以及一些配套設(shè)施。