DDR6內(nèi)存曝光：存儲(chǔ)容量和處理速度將大幅增加

當(dāng)下，DDR5內(nèi)存還遠(yuǎn)未到要主流普及的程度。不過，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。

日前在韓國水原舉辦的一場(chǎng)研討會(huì)上，三星測(cè)試與系統(tǒng)封裝副總裁Younggwan Ko表示，為適配半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能的增長，封裝技術(shù)必須不斷進(jìn)步。

在會(huì)上他明確，在DDR6內(nèi)存芯片的開發(fā)中，三星將使用MSAP，也就是改良型半加成工藝(Modified semi-additive process)。

資料顯示，MSAP起初應(yīng)用于IC載板高精密線路制作，技法是首先在附有超薄底銅的基板上貼合干膜使用正片進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移，再通過圖形電鍍加成形成線路，最后去除干膜和底銅完成高精密布線，以實(shí)現(xiàn)提升PCB的高頻高速性能。

和當(dāng)前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要鍍層。

Ko指出，DDR6的存儲(chǔ)容量和處理速度將大幅增加，需要更多的堆疊層數(shù)，對(duì)封裝技術(shù)來說既是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)。

另外，Ko也坦言，友商已經(jīng)先于自己在DDR5顆粒上使用MSAP技術(shù)了。

事實(shí)上，雖然出貨上仍舊是DRAM龍頭老大，但三星在技術(shù)開發(fā)上的確出現(xiàn)落后，拋開上文的MSAP，1a DRAM芯片量產(chǎn)進(jìn)度也不及SK海力士和美光。

值得一提的是，根據(jù)早先爆料，DDR6內(nèi)存的頻率預(yù)計(jì)在12~17GHz，問世起碼還要5年時(shí)間。